快捷方式:发布信息| 收藏公司

场效应管 (SPW20N60C3)

产品/服务:
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-12-22 11:30
单价:
面议
立即询价

(发货期限:自买家付款之日起 天内发货)

  • VIP指数:    0 [第1年]
  • 认证信息:          
  •   通过认证
  • 所在地区:
收藏本公司 人气:260
  • 详细说明
  • 规格参数
  • 联系方式

“场效应管 (SPW20N60C3)”参数说明

品牌: Infineon 类型: 增强型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插
用途: MOS-INM/独立组件 导电方式: 增强型
封装: To-3p/247

“场效应管 (SPW20N60C3)”详细介绍

  SPW20N60C3,采用TO-247封装方式。
  晶体管极性:N沟道
  漏极电流,Id 最大值:20.7A
  电压,Vds 最大:650V
  开态电阻,Rds(on):0.19ohm
  电压@Rds测量:10V
  电压,Vgs 最高:3V
  功耗:208W
  工作温度范围:-55°C to+150°C
  针脚数:3
  功率,Pd:208W
  总功率,Ptot:208W
  晶体管数:1
  晶体管类型:MOSFET
  温度@电流测量:25°C
  满功率温度:25°C
  电压 Vgs@Rds on 测量:10V
  电压,Vds:650V
  电流,Idm 脉冲:62.1A
  表面安装器件:通孔安装
  所属类别:半导体二极管
  基极/源极击穿电压:650 V
  漏极连续电流:20.7 A 功
  率耗散:208000 Mw
  闸/源击穿电压:20 V
  封装:Tube.
IR产品:
IRF1404PBF  IRF3205PBF IRF2807PBF IRF740PBF
IRF9Z24NPBF  IRFZ24NPBF  IRFP43232PBF IRFP4368PBF
美格纳产品:
MDP13N50TH  MDF13N50TH   MDF1N60TH  
MDF2N60TH   MDF4N60TH    MDP8N60TH
ON产品:
SG3525ADW
MUR860G  MUR8100EG  MUR1560G  MUR1540G
MUR3040PTG MUR3020PT/WTG  MUR3060PTG MUR1620CTRG
TOSHIBA产品:
2SK4108 2SK4107 2SK3878 TLP250 TLP350 TLP521
Infineon产品:
SPA1N80C3 SPA20N60C3 SPP20N60C3 SPA1N60C3
SPA04N80C3 SPA06N80C3 SPA07N60C3 IKW75N60T
Fairchild产品:
FDA59N30  FDPF18N50  FDPF15N65 FQA9N90C
RHRP860   RHRP15120  RHRP1560  RHRP3060
ST产品:
SG3525 SG25 STF23NM50 STP75NF75
深力科电子,专营IR/VISHAY,TOSHIBA,Infineon,
Fairchild,ST,Magnachip等品牌,型号繁多,未能列全
有需要请来电咨询1372377326 QQ27138986
直线:0755-82539855

您可以通过以下类目找到类似信息:

 

免责声明:以上所展示的信息由会员自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。长沙国商印刷网对此不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买风险,建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量!