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“电光Q开关”参数说明
| Bbo电光q开关： | ？25.4mmx40mm |
“电光Q开关”详细介绍
BBO（偏硼酸钡β-BaB2O4）晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。对于高平均功率及高重复频率的Q开关和再生放大系统，BBO 普克尔盒是很好的选择。与KD*P和LN晶体相比，虽然BBO晶体的电光系数小，半波电压相对高，但它在高平均功率系统中开关的关断性能更好。相对于RTP电光调制晶体，BBO晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度时应系，有利于提高激光输出功率稳定性。因此，由BBO晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率（高达833KHz），高功率（高达900W）的电光调Q激光器，腔倒空调Q激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大系统中。由于电光Q开关的的关断时间（
